本PPT《半导体介绍——材料与光刻工艺》系统介绍了半导体基础、材料、光刻工艺与国产化现状。内容从半导体定义、本征半导体及N型/P型掺杂原理讲起,梳理了第一代Ge、Si,第二代GaAs,第三代SiC、GaN、ZnO等半导体材料的带隙、熔点与应用;随后介绍集成电路制造流程和光刻工艺,包括衬底清洗、表面处理、光刻胶旋涂、前烘、曝光、后烘、显影、刻蚀、去胶等步骤,并展示g-line、i-line、KrF、ArF到EUV的曝光波长演进及CD=k1λ/NA关系;最后从工艺节点、光刻胶、半导体设备及零部件等维度分析国产化进展与差距,适合作为半导体材料与光刻技术的入门综述。

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发布时间:2026/9/10
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