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TECHNICAL ARTICLES半导体显微镜在化合物半导体外延层缺陷与位错观察中的应用与操作要点
2026-09-17 碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体是功率器件和射频器件的核心材料。外延层的晶体质量直接影响器件耐压、导通电阻和可靠性。外延层中的位错、堆垛层错、表面凹坑等缺陷,可能成为漏电通道或击穿点,因此缺陷检测是外延工艺评价的重要环节。半导体显微镜可结合偏光和DIC模式观察外延层缺陷。在正交偏光下,SiC晶体中的位错因应力场引起双折射变化,呈现亮点或暗点;堆垛层错则表现为条纹状或片状衬度。DIC模式能凸显表面凹坑、台阶和微裂纹。对于GaN外延层,表面凹坑和六角形缺陷可在DI...半导体显微镜在封装焊球凸点截面形貌与金属间化合物观察中的应用与操作要点
2026-09-17 焊球和凸点是芯片与基板、封装体之间实现电气连接和机械支撑的关键结构。随着倒装芯片和球栅阵列封装的发展,焊点尺寸不断缩小,焊球内部空洞、界面金属间化合物过度生长、裂纹等缺陷对可靠性的影响愈发显著。半导体显微镜是观察焊点截面形貌和界面反应的常用设备。检测时需先制备截面样品:将封装样品切割、镶嵌、研磨、抛光,使焊球沿中心截面暴露。在明场下可观察焊球整体形状、润湿角、空洞和裂纹;高倍下可测量界面金属间化合物层厚度。常见焊料为SnAgCu系,与铜焊盘反应生成Cu6Sn5扇贝状化合物,长...半导体显微镜在晶圆表面颗粒污染与清洗效果评估中的应用与操作要点
2026-09-17 晶圆制造过程中,颗粒污染是影响良率的重要因素。颗粒可能来源于设备磨损、化学品残留、传输机构摩擦以及环境尘埃。当颗粒落在晶圆表面,会遮挡光刻曝光、干扰薄膜沉积,甚至造成图形缺陷。因此,晶圆表面颗粒检测与清洗效果评估是半导体前道工序中的常规检验项目。半导体显微镜是颗粒检测的基础工具。在暗场照明下,微小颗粒因散射光而呈现明亮亮点,与暗色背景形成高对比度,即使亚微米级颗粒也能被识别。明场照明适合观察较大颗粒和表面划痕,DIC模式则能凸显颗粒的高度和边缘形貌。检测时样品无需特殊制样,可...
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